您好，歡迎來(lái)到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

管理采購(gòu) 發(fā)布采購(gòu)信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > B字母型號(hào)搜索 >

BSD316NL6327

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
1

您是不是要找： BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNL6327XT BSD340NH6327XTSA1 BSD816SNH6327XTSA1 BSD816SNL6327HTSA1 BSD840N L6327 BSD840NH6327XTSA1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A

BSD316NL6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BSD316NL6327 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述

BSD316NL6327 技術(shù)參數(shù)

BSD314SPEL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD314SPEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSD235NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR