BSH114215

配單專家企業(yè)名單

型號
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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

BSH114215
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
NXP
SOT23
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應

BSH114215
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
4755
Nexperia(安世)
TO-236AB
2231+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 100V 0.85A SOT-23

BSH114215 技術參數(shù)

BSH114,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:138pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH112,235 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BSH111BKR 功能描述:MOSFET N-CH 55V SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:210mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:30pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:302mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH111,235 功能描述:MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:335mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BSH111,215 功能描述:MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:335mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR BSH-120-01-L-D-EM2 BSH-120-01-L-D-LC BSH-120-01-L-D-LC-TR BSH-120-01-L-D-TR BSH121,135 BSH14-D BSH14-Q