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CIG21L3R3MNE

配單專家企業(yè)名單

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說明
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CIG21L3R3MNE
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
SAMSUNG
SMD
最新批號
-
一級代理，原裝特價現(xiàn)貨！

CIG21L3R3MNE
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Samsung Electro-Mechanics
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

CIG21L3R3MNE
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
437
Samsung Electro-Mechanics
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

CIG21L3R3MNE
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
399800
原廠
SMD
15+ROHS
-
一級質(zhì)量保證長期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價美

CIG21L3R3MNE
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3297
SAMSUNG
SMD
2232+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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制造商
Samsung Electro-Mechanics
功能描述
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 3.3uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 0805 Embossed T/R
制造商
Samsung Electro-Mechanics
功能描述
POWER INDUCTOR,0805,3.3UH,20%,0.80A - Tape and Reel
制造商
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
功能描述
INDUCTOR POWER 3.3UH 0.8A 0805

CIG21L3R3MNE 技術(shù)參數(shù)

CIG21L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 950mA 160 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:950mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:160 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21L1R5MNE 功能描述:FIXED IND 1.5UH 1.05A 140 MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG21L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.05A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:140 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）標準包裝:1 CIG21L1R2MNE 功能描述:1.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 125 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1.2μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:125 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21L1R0MNE 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.15A 110 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21FR47MNC 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 120 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:120 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22B1R5MNE CIG22B2R2MAE CIG22B2R2MLE CIG22B2R2MNE CIG22B3R3MAE CIG22B3R3MNE CIG22B4R7MAE CIG22B4R7MNE CIG22BR27MNE CIG22BR33MNE CIG22BR47MAE CIG22BR47MNE CIG22BR56MAE CIG22BR56MNE CIG22E1R0MAE CIG22E1R0MNE CIG22E1R0SNE CIG22E1R5MNE