CMLDM7003TT/R

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CMLDM7003TT/R 技術(shù)參數(shù)

CMLDM7003TG TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7003T TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7003G TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7003 TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7002AJ TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLHPB111-1RLS4-40526-300 CMLHPB11-1REC4-34606-2-V CMLHPB11-1REC4-40599-225-V CMLHPB11-1RLS4-37029-200 CMLHPB11-1RLS4-40599-175-V CMLHPB11-1RLS4-40599-200-V CMLHPB11-1RLS4-52-125.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1