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CSD17C00A

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  • CSD17C00A
    CSD17C00A

    CSD17C00A

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • CS

  • QFP

  • 08+/09+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • CSD17C00A
    CSD17C00A

    CSD17C00A

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • C&S

  • QFP

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • CSD17C00A
    CSD17C00A

    CSD17C00A

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SAMSUNG

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

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  • 1
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CSD17C00A 技術(shù)參數(shù)
  • CSD17585F5T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.9A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 900mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17585F5 功能描述:30V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.9A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 900mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17581Q5AT 功能描述:30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商:texas instruments 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），123A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3640pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17581Q3AT 功能描述:30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3640pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（3x3.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17581Q3A 功能描述:30V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:54nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3640pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），63W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 16A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（3x3.15） 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18504Q5AT CSD18509Q5B CSD18509Q5BT CSD18510KCS CSD18510KTT CSD18510KTTT CSD18510Q5B CSD18510Q5BT CSD18511KCS CSD18511KTT CSD18511KTTT CSD18511Q5A CSD18511Q5AT CSD18512Q5B CSD18512Q5BT CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18514Q5A
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