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STB20NM60A-1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
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  • 說明
  • 操作
  • STB20NM60A-1
    STB20NM60A-1

    STB20NM60A-1

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • TO-263

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • STB20NM60A-1
    STB20NM60A-1

    STB20NM60A-1

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • STB20NM60A-1
    STB20NM60A-1

    STB20NM60A-1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • STM

  • TO-220

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • STB20NM60A-1
    STB20NM60A-1

    STB20NM60A-1

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 19750

  • ST/意法

  • TO220MONOC

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
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  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • STB20NM60A-1 - Rail/Tube
STB20NM60A-1 技術(shù)參數(shù)
  • STB20NM60-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STB20NM50T4 功能描述:MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB20NM50FDT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB20NM50-1 功能描述:MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STB20NK50ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:119nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB21NM60ND STB22NM60N STB22NS25ZT4 STB230NH03L STB23N80K5 STB23NM50N STB23NM60N STB23NM60ND STB24N60DM2 STB24N60M2 STB24N65M2 STB24NM60N STB24NM65N STB25N80K5 STB25NF06AG STB25NF06LAG STB25NM50N STB25NM50N-1
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