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STB26N60M2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STB26N60M2
    STB26N60M2

    STB26N60M2

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 8851

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -
  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • STB26N60M2
    STB26N60M2

    STB26N60M2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6001

  • ST/意法半導體

  • TO-263-3

  • 21+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • STB26N60M2
    STB26N60M2

    STB26N60M2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STB26N60M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? M2
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 20A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 34nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±25V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 1360pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 169W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 165 毫歐 @ 10A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • D2PAK
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 標準包裝
  • 1
STB26N60M2 技術參數(shù)
  • STB25NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB25NM60N-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STB25NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB25NM50N-1 功能描述:MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2565pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:1,000 STB25NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2565pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB2N62K3 STB300NH02L STB30100CTR STB30100TR STB30150CTR STB30200CTR STB3060CTR STB30N65M5 STB30N80K5 STB30NF10T4 STB30NF20 STB30NF20L STB30NM50N STB30NM60N STB30NM60ND STB31N65M5 STB32N65M5 STB32NM50N
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