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STB28N60M2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STB28N60M2
    STB28N60M2

    STB28N60M2

    優(yōu)勢
  • 深圳市暢洲科技有限公司
    深圳市暢洲科技有限公司

    聯(lián)系人：吳小姐

    電話：852906044930755-82762262

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3018號都會軒2506

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ST(意法)

  • TO-263-3

  • 22+

  • -

  • 全新原裝正品

  • STB28N60M2
    STB28N60M2

    STB28N60M2

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • TO-263

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • STB28N60M2
    STB28N60M2

    STB28N60M2

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4280

  • STMICROEL

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STB28N60M2
    STB28N60M2

    STB28N60M2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6002

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-263-3

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • STB28N60M2
    STB28N60M2

    STB28N60M2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共20條 
  • 1
STB28N60M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? II Plus
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 22A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 150 毫歐 @ 11A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 36nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 1440pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 170W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D2PAK
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STB28N60M2 技術(shù)參數(shù)
  • STB28N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB270N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7400pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB26NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:54.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1817pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB26N60M2 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1360pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:169W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB3060CTR STB30N65M5 STB30N80K5 STB30NF10T4 STB30NF20 STB30NF20L STB30NM50N STB30NM60N STB30NM60ND STB31N65M5 STB32N65M5 STB32NM50N STB33N60DM2 STB33N60M2 STB33N65M2 STB34N50DM2AG STB34N65M5 STB34NM60N
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