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STB210NF020

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STB210NF020 技術(shù)參數(shù)
  • STB20NM60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB20NM60D 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB20NM60-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STB20NM50T4 功能描述:MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB20NM50FDT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB22NS25ZT4 STB230NH03L STB23N80K5 STB23NM50N STB23NM60N STB23NM60ND STB24N60DM2 STB24N60M2 STB24N65M2 STB24NM60N STB24NM65N STB25N80K5 STB25NF06AG STB25NF06LAG STB25NM50N STB25NM50N-1 STB25NM60N STB25NM60N-1
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