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STB22NS25ZT4

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STB22NS25ZT4
    STB22NS25ZT4

    STB22NS25ZT4

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話(huà):1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • D2PAK

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • STB22NS25ZT4
    STB22NS25ZT4

    STB22NS25ZT4

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話(huà):19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3526

  • ST

  • D2PAK

  • 14+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫(kù)存,400-800-03...

  • STB22NS25ZT4
    STB22NS25ZT4

    STB22NS25ZT4

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STB22NS25ZT4
    STB22NS25ZT4

    STB22NS25ZT4

  • 深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà):0755-88608801多線(xiàn)17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • D2PAK

  • ST

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • STB22NS25ZT4
    STB22NS25ZT4

    STB22NS25ZT4

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • STB22NS25ZT4
    STB22NS25ZT4

    STB22NS25ZT4

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話(huà):1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 17102

  • ST/意法

  • D2PAK

  • 22+

  • -
  • STB22NS25ZT4
    STB22NS25ZT4

    STB22NS25ZT4

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話(huà):13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ST

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專(zhuān)業(yè)BOM配單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共19條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 250 Volt 22 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STB22NS25ZT4 技術(shù)參數(shù)
  • STB22NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):220 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1300pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB21NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):220 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB21NM60N-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):220 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1900pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STB21NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):220 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1900pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB21NM50N-1 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1950pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STB24NM65N STB25N80K5 STB25NF06AG STB25NF06LAG STB25NM50N STB25NM50N-1 STB25NM60N STB25NM60N-1 STB25NM60ND STB26N60M2 STB26NM60N STB26NM60ND STB270N4F3 STB27NM60ND STB28N60DM2 STB28N60M2 STB28N65M2 STB28NM50N
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