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STGB3NB60MDT4

配單專家企業(yè)名單
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  • STGB3NB60MDT4
    STGB3NB60MDT4

    STGB3NB60MDT4

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 原廠原裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
STGB3NB60MDT4 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
STGB3NB60MDT4 技術參數(shù)
  • STGB3NB60FDT4 功能描述:IGBT 600V 6A 68W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):6A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,3A 功率 - 最大值:68W 開關能量:125μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:16nC 25°C 時 Td(開/關)值:12.5ns/105ns 測試條件:480V,3A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):45ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB35N35LZT4 功能描述:IGBT 345V 40A 176W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):345V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.7V @ 4.5V,15A 功率 - 最大值:176W 開關能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:49nC 25°C 時 Td(開/關)值:1.1μs/26.5μs 測試條件:300V,15A,5V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB35N35LZ-1 功能描述:IGBT 345V 40A 176W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):345V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.7V @ 4.5V,15A 功率 - 最大值:176W 開關能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:49nC 25°C 時 Td(開/關)值:1.1μs/26.5μs 測試條件:300V,15A,5V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STGB30V60F 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,30A 功率 - 最大值:260W 開關能量:383μJ(開),233μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:163nC 25°C 時 Td(開/關)值:45ns/189ns 測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB30V60DF 功能描述:IGBT 600V 60A 258W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,30A 功率 - 最大值:258W 開關能量:383μJ(開),233μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:163nC 25°C 時 Td(開/關)值:45ns/189ns 測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):53ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB6NC60HT4 STGB7H60DF STGB7NB40LZT4 STGB7NB60HDT4 STGB7NB60KDT4 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4
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