AON6934

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型號(hào)
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廠商
封裝
批號(hào)
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功能描述
MOS N CH DUAL 30V 28A 36A DFN5X6
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列
-
產(chǎn)品目錄繪圖
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
-
FET 型
2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 4.6A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PowerPAK? SO-8
包裝
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁(yè)面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
SI7948DP-T1-GE3DKR

AON6934 技術(shù)參數(shù)

AON6932A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A，36A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1037pF @ 15V 功率 - 最大值:3.6W，4.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6932 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A，36A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1037pF @ 15V 功率 - 最大值:3.6W，4.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6928 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A，30A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:3.6W，4.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6926 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A，12A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W, 2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6924 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A，28A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1560pF @ 15V 功率 - 最大值:2W，2.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6974 AON6974A AON6978 AON6980 AON6992 AON6994 AON6996 AON6998 AON7140 AON7200 AON7200_101 AON7200_102 AON7200L AON7202 AON7202_101 AON7202L AON7210 AON7220