您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 >

BUK9107-55ATE

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
BUK9107-55ATE PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
BUK9107-55ATE 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9107-40ATC,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式),邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5836pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:1 BUK7Y9R9-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):89A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):51.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):498pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):195W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):98 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y98-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 12.3A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12.3A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):498pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):37W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):98 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y8R7-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):87A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):46nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3159pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):147W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.7 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 基本零件編號:* 標準包裝:1 BUK7Y7R8-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):63.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5347pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK92150-55A/CDJ BUK9215-55A,118 BUK9216-100EJ BUK9217-75B,118 BUK9219-55A,118 BUK9222-100EJ BUK9222-55A,118 BUK9222-55A,127 BUK9222-55A/C1,118 BUK9223-60EJ BUK9225-55A,118 BUK9226-75A,118 BUK9230-100B,118 BUK9230-55A,118 BUK9230-80EJ BUK9234-100EJ BUK9237-55,118 BUK9237-55A,118
配單專家

在采購BUK9107-55ATE進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買BUK9107-55ATE產(chǎn)品風險,建議您在購買BUK9107-55ATE相關(guān)產(chǎn)品前務必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明:以上所展示的BUK9107-55ATE信息由會員自行提供,BUK9107-55ATE內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (massivemove.com) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號