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STGB20NB32LZ

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STGB20NB32LZ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT N-CH CLAMP 2V 20A I2PAK
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • PowerMESH™
  • 標準包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 3V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類型
  • 標準
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
STGB20NB32LZ 技術(shù)參數(shù)
  • STGB20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.25V @ 4V,6A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:26nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:1.1μs/4.6μs 測試條件:300V,10A,1 千歐,5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB20N40LZ 功能描述:IGBT 390V 25A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):390V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.6V @ 4V,6A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:24nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:700ns/4.3μs 測試條件:300V,10A,1 千歐,5V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 STGB20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:209μJ(開),261μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:115nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:42.5ns/177ns 測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):90ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,12A 功率 - 最大值:130W 開關(guān)能量:81μJ(開),125μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:53nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:25ns/90ns 測試條件:390V,12A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB19NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.75V @ 15V,12A 功率 - 最大值:125W 開關(guān)能量:165μJ(開),255μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:30ns/105ns 測試條件:480V,12A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF
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