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SIR774DP-T1-GE3

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • SIR774DP-T1-GE3
    SIR774DP-T1-GE3

    SIR774DP-T1-GE3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

  • SO-8

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • SIR774DP-T1-GE3
    SIR774DP-T1-GE3

    SIR774DP-T1-GE3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • VISHAY /

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • SIR774DP-T1-GE3
    SIR774DP-T1-GE3

    SIR774DP-T1-GE3

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 250

  • VISHAY

  • PAKSO-8

  • 13+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
SIR774DP-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 30 Volts 40 Amps 62.5 Watts
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SIR774DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波長(zhǎng):875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:120° 朝向:通用 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，J 形引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 SIR818DP-T1-GE3 SIR820DP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 SIR826DP-T1-GE3 SIR826DP-T1-RE3 SIR836DP-T1-GE3 SIR838DP-T1-GE3 SIR840DP-T1-GE3 SIR844DP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-RE3 SIR846DP-T1-GE3 SIR850DP-T1-GE3 SIR862DP-T1-GE3 SIR864DP-T1-GE3 SIR866DP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-RE3
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免責(zé)聲明：以上所展示的SIR774DP-T1-GE3信息由會(huì)員自行提供，SIR774DP-T1-GE3內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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