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BSD235CL6327XT

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R
BSD235CL6327XT 技術(shù)參數(shù)
  • BSD235CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235C L6327 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD223PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:390mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD223P L6327 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:390mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSD223P 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:390mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD840N L6327 BSD840NH6327XTSA1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2
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