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SIR668DP-T1-RE3

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SIR668DP-T1-RE3 技術參數
  • SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):18mW/sr @ 50mA 波長:850nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波長:940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:2,000 SIR383C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):11mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 標準包裝:500 SIR770DP-T1-GE3 SIR774DP-T1-GE3 SIR788DP-T1-GE3 SIR798DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-RE3 SIR802DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 SIR808DP-T1-GE3 SIR812DP-T1-GE3 SIR814DP-T1-GE3 SIR818DP-T1-GE3 SIR820DP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 SIR826DP-T1-GE3 SIR826DP-T1-RE3 SIR836DP-T1-GE3 SIR838DP-T1-GE3
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